日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的訂貨金額(3個(gè)月移動(dòng)平均值，速報(bào)值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長(zhǎng)30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時(shí)隔29個(gè)月增長(zhǎng)率首次超過30%。半導(dǎo)體的微細(xì)化、立體化和中國(guó)半導(dǎo)體制造商興起這三大變化為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來了活力。另一方面，半導(dǎo)體設(shè)備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。

 

    “采購(gòu)設(shè)備的時(shí)間提前了”，日本東電電子社長(zhǎng)河合利樹無法掩飾他對(duì)半導(dǎo)體制造商們強(qiáng)烈的設(shè)備投資欲的驚訝。
 

    8月，半導(dǎo)體設(shè)備的訂單出貨比(B/B值，訂單金額除以出貨金額)為1.18，連續(xù)9個(gè)月高于榮枯線1。產(chǎn)品剛賣出去就有更多新訂單進(jìn)來，這樣的狀態(tài)一直持續(xù)。

 

    產(chǎn)生這種狀況的原因之一是半導(dǎo)體電路的微細(xì)化。在尖端領(lǐng)域，正迎來電路線寬由10多納米到7~10納米的過渡期。能一次性將細(xì)微電路寫入鬼片的EUV光刻(極紫外光刻)技術(shù)還有待發(fā)展，目前通過反覆操作來制成細(xì)微電路，成膜設(shè)備和腐蝕設(shè)備也在增加。
 

    原因之二是半導(dǎo)體電路的立體化。伺服器等使用的存儲(chǔ)設(shè)備方面，現(xiàn)在已經(jīng)開始采用3D垂直堆疊NAND存儲(chǔ)設(shè)備。與傳統(tǒng)的平面存儲(chǔ)設(shè)備相比，這種立體設(shè)備能增加單位大小芯片的存儲(chǔ)量。韓國(guó)三星電子、美國(guó)微軟、日本東芝均在增加生產(chǎn)設(shè)備。

 

    原因之三則是中國(guó)，例如中國(guó)紫光集團(tuán)將新建一家大型存儲(chǔ)器工廠。預(yù)計(jì)從現(xiàn)在到2020年的五年期間，總投資額將達(dá)到5萬億日元(約合人民幣3320億元)，是過去5年的2倍以上。中國(guó)政府將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)定位為支柱產(chǎn)業(yè)，同時(shí)也在積極推動(dòng)外資廠商投資。

 

    這3大變化有可能拉大設(shè)備制造企業(yè)之間的差距。半導(dǎo)體微細(xì)化和立體化對(duì)設(shè)備的技術(shù)要求有所提高。有分析認(rèn)為，技術(shù)將成為半導(dǎo)體設(shè)備制造商們勝負(fù)的決定因素。