從2013年以來持續(xù)成長(zhǎng)的DRAM市場(chǎng)，2016年展望值首度出現(xiàn)衰退。為突破半導(dǎo)體市場(chǎng)的不景氣，三星電子(Samsung ElectroNIcs)致力升級(jí)微細(xì)制程技術(shù);SK海力士(SK Hynix)則準(zhǔn)備以史上最大規(guī)模的投資計(jì)劃應(yīng)戰(zhàn)。

 

     韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界自年初就彌漫緊張感，DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，搭載DRAM的PC、智能型手機(jī)、平板電腦等市場(chǎng)需求也在萎縮。從2013~2015年一直維持成長(zhǎng)的存儲(chǔ)器市場(chǎng)，2016年展望值首度出現(xiàn)衰退。三星、SK海力士借著技術(shù)研發(fā)與大膽投資，試圖突破市場(chǎng)困境。

 

     據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，三星致力升級(jí)微細(xì)制程技術(shù)，日前宣布應(yīng)用14納米第二代鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程的移動(dòng)系統(tǒng)單芯片(SoC)開始量產(chǎn)。14納米第二代FinFET制程比第一代耗電量節(jié)省15%，性能提升15%。

 

     三 星在2015年1月率先業(yè)界，量產(chǎn)應(yīng)用14納米FinFET制程的Exynos 7 Octa;2016年以第二代FinFET制程同時(shí)量產(chǎn)Exynos 8 Octa與高通(Qualcomm)Snapdragon 820等代工產(chǎn)品。第二代制程產(chǎn)品預(yù)定將搭載于2016年3月上市的Galaxy S7(暫稱)。

 

     無論在資料處理速度或性能上，三星制程水準(zhǔn)都在業(yè)界名列前茅，而借著這次量產(chǎn)的機(jī)會(huì)，三星代工事業(yè)收益性可望更上一層樓。

 

     另一方面，SK海力士2016年則將執(zhí)行史上最大規(guī)模，上看6.5兆韓元(約53.5億美元)的投資計(jì)劃。由于2015年投資規(guī)模為6.4兆韓元，因此根據(jù)估計(jì)2016年投資至少增加1，000億韓元，約6.5兆韓元。

 

     SK海力士相關(guān)人士表示，經(jīng)營(yíng)條件雖然困難，為了奠定未來的成長(zhǎng)基礎(chǔ)，仍然必須搶先投資。

 

     SK海力士2013年起就持續(xù)擴(kuò)大設(shè)備投資，以拓展競(jìng)爭(zhēng)力。2013年投資3.6兆韓元、2014年5.2兆韓元，2015年京畿道利川M14廠竣工，完成量產(chǎn)系統(tǒng)的整頓。SK海力士2014年的營(yíng)業(yè)利益首度突破5兆韓元的紀(jì)錄，也被業(yè)界歸功于大膽投資帶來的效果。

 

     2016 年SK海力士的投資重點(diǎn)將放在開發(fā)技術(shù)、強(qiáng)化成本競(jìng)爭(zhēng)力與建構(gòu)相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施等方面。除了致力于10納米級(jí)DRAM、3D NAND Flash的開發(fā)與量產(chǎn)，同時(shí)也會(huì)持續(xù)在韓國(guó)利川與清州地區(qū)進(jìn)行興建新廠的投資。已知SK海力士曾在2015年8月宣布，后續(xù)將投入46兆韓元建設(shè)M14 等3間新廠。

 

     韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)常務(wù)安基賢(譯名)表示，連大陸都跨足存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)，讓韓國(guó)業(yè)界充滿危機(jī)感，現(xiàn)在強(qiáng)化技術(shù)并透過投資維持競(jìng)爭(zhēng)力，比任何時(shí)候都更為重要。