65W-PD-2C1A 氮化鎵方案由主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降壓芯片 NDP1460PQB和PD協(xié)議芯片XPD737+XPD767套片組合，實現(xiàn)三口輸出，并支持功率自動分配，整套方案具有成本低，性能穩(wěn)定，產(chǎn)品體積小，可滿足客戶認證要求。
 

一、2C1A氮化鎵方案特性

1：USB-C1口單獨使用 65W

輸出規(guī)格： 5V3A  9V3A  12V3A  15V3A  20V3.25A:

2：USB-C2口單獨使用 65W

輸出規(guī)格： 5V3A  9V3A  12V3A  15V3A  20V3.25A

3：USB- A口單獨使用 18W

輸出規(guī)格： 5V3A  9V2A  12V1.5A

4：USB-C1+ USB-C2同時使用（45W+20W）

C1輸出規(guī)格： 5V3A  9V3A  12V3A  15V3A  20V2.25A  45WMAX

C2輸出規(guī)格： 5V3A  9V2.22A  12V1.67A  20WMAX

5：USB-C1+ USB-A同時使用（45W+18W）

C1輸出規(guī)格： 5V3A  9V3A  12V3A  15V3A  20V2.25A  45WMAX

USB-A輸出規(guī)格： 5V3A  9V2A  12V1.5A  18WMAX

6：USB-C2+ USB-A同時使用

共享：5V3A  MAX

7：USBC1+USB-C2+ USB-A同時使用

C1輸出規(guī)格： 5V3A  9V3A  12V3A  15V3A  20V2.25A  MAX

C2+ USB-A共享：5V3A  MAX

 

二、芯片概述

主控芯片PN8783：PN8783系列采用SOP10/PP封裝，內(nèi)置高性能700V GaN FET，具有卓越的環(huán)路穩(wěn)定性、高功率密度、低待機功耗等明顯優(yōu)勢，同時在封裝底部大面積敷銅散熱，可以顯著降低芯片溫升。

 

同步整流芯片PN8307P：PN8307P內(nèi)置100V/7mΩ智能MOSFET，快速關(guān)斷+自適應(yīng)死區(qū)控制提高MOSFET Rdson利用率，顯著降低溫升，專利輕載模式可降低待機功耗，具有超高性價比。

 

DC-DC降壓芯片 NDP1460：NDP1460PQB是一款集成MOS管的高效同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。其內(nèi)部采用抖頻、平均電流模式控制結(jié)構(gòu)。能夠連續(xù)提供高達7A的輸出電流，具有出色的線性和負載調(diào)節(jié)能力。NDP1460PQB的輸入電壓范圍從7.5V至30V，輸出電壓可調(diào)，范圍從3.3V至29V。

 

PD協(xié)議芯片XPD737：XPD737內(nèi)部集成 10mΩ VBUS 通路管，并且集成10mΩ電流檢測電阻，支持完善的保護功能，降低外圍元件數(shù)量，簡化電路，降低成本。采用ESOP8封裝。

 

PD協(xié)議芯片XPD767：XPD767集成了協(xié)議控制和VBUS開關(guān)以及復(fù)雜的控制邏輯，一顆芯片完成1A1C控制，通過XPD-LINK互聯(lián)技術(shù)，兩顆芯片即可組成2A1C的快充解決方案，并且無需添加復(fù)雜的外圍電路。

 

三、DEMO實物圖
 

美規(guī)折疊頭，實物尺寸：56.64*53.13*28.91

 

四、輸出特性

 

五、電路原理圖

電路原理圖（AC-DC 部分）

電路原理圖（DC-DC 部分）

 

六、部分BOM清單

 

65W-PD-2C1A氮化鎵方案，115Vac/60Hz-230Vac/50Hz待機功耗<75mW，平均效率>93.4%，因集成度高、性能卓越、方案成本優(yōu)勢明顯，獲得了眾多廠家爭相采用，更多方案規(guī)格、線路圖紙、變壓器設(shè)計、測試數(shù)據(jù)及應(yīng)用要點請向驪微電子申請�！�