20W小體積pd充電器芯片-PN8162
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在《2020(冬季)USB PD&Type-C亞洲大會(huì)》上,芯朋微應(yīng)用技術(shù)總監(jiān)——王曠先生針對如何在提升輸出功率的同時(shí),將20W充電器體積進(jìn)一步減?發(fā)表主題演講《如何應(yīng)對PD快充小型化挑戰(zhàn)?》,重磅發(fā)布最新20W小體積PD快充解決方案及pd充電器芯片-PN8162新品IC!

pd充電器芯片-PN8162內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。
該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的保護(hù)功能,包括輸出過壓保護(hù)、逐周期過流保護(hù)、過載保護(hù)、軟啟動(dòng)、輸入欠壓保護(hù)功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)。

pd充電器芯片-PN8162功能描述
1.啟動(dòng):在啟動(dòng)階段,內(nèi)部高壓啟動(dòng)管提供充電電流對外部VDD電容進(jìn)行充電。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDon,芯片開始工作;高壓啟動(dòng)管停止對VDD電容充電。啟動(dòng)過程結(jié)束后,變壓器輔助繞組對VDD電容提供能量!
2.軟啟動(dòng):啟動(dòng)階段,漏極的最大峰值電流限制逐步的提高;因此可以大大減小器件的應(yīng)力,防止變壓器飽和。
3.輸出驅(qū)動(dòng):PN8162采用優(yōu)化的圖騰柱結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)技術(shù),通過合理的輸出驅(qū)動(dòng)能力以及死區(qū)時(shí)間,得到較好的EMI特性和較低損耗。
4.谷底開通:PN8162是一款工作于準(zhǔn)諧振模式的集成芯片,通過DMG檢測到的消磁信號實(shí)現(xiàn)精確谷底開通,以提高系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。在PWM模式,由第一谷底產(chǎn)生開啟信號,工作頻率由系統(tǒng)設(shè)計(jì)的變壓器參數(shù)決定,最高工作頻率限制在125kHz!
5.降頻工作模式:PN8162提供降頻工作模式,通過檢測FB腳電壓,在輕載和空載條件下降低開關(guān)頻率以提高輕載效率。當(dāng)FB腳電壓小于VFB_PFM,芯片進(jìn)入降頻工作模式,開關(guān)頻率隨負(fù)載降低而降低,直至最小頻率25kHz。

6.間歇工作模式:極輕載時(shí),PN8162進(jìn)入間隙工作模式以減小待機(jī)功耗。當(dāng)負(fù)載減輕,反饋電壓減小;當(dāng)FB腳電壓小于VFB_BM,芯片進(jìn)入間歇工作模式,功率管關(guān)斷。當(dāng)FB腳超過VFB_BM+VFB_BM_HYS時(shí),開關(guān)管再次導(dǎo)通!
7.去磁引腳DMG:PN8162去磁引腳DMG, 通過電阻分壓采樣輸出電壓和輸入電壓,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了波谷檢測、輸出過壓保護(hù)和輸入欠壓保護(hù)的功能。
8.過載保護(hù):如果負(fù)載電流超過預(yù)設(shè)定值時(shí),系統(tǒng)會(huì)進(jìn)入過載保護(hù)。當(dāng)VFB電壓超過Vth_OLP ,經(jīng)過固定延遲時(shí)間,開關(guān)模式停止。
9.輸入/輸出保護(hù):PN8162通過DMG腳在芯片開啟階段采樣輸入電壓,實(shí)現(xiàn)輸入欠壓保護(hù)。同時(shí),PN8162通過DMG腳在芯片關(guān)斷階段采樣輸出電壓實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的輸出過壓保護(hù)!
10.過溫保護(hù):功率MOSFET和控制芯片集成在一起,使得控制電路更易于檢測MOSFET的溫度。當(dāng)溫度超過145℃,芯片進(jìn)入過溫保護(hù)狀態(tài)。

pd充電器芯片-PN8162工作強(qiáng)制DCM模式,降低同步整流耐壓;自適應(yīng)QR開通技術(shù),簡化EMC設(shè)計(jì);集成輸入市電欠壓及輸出過壓保護(hù),無需外部輔助電路,有利于降低方案成本,充電器小型化設(shè)計(jì)。
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