HD1010 15W全橋功率級無線充發(fā)射端芯片
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HD1010 15W全橋功率級無線充發(fā)射端芯片是一個高度集成的無線電源發(fā)射機模擬前端,集成了一個全橋功率驅動與mosfts,電流感知放大器,自舉電路,通信解調(diào)器,線性調(diào)節(jié)器和保護電路,包含了實現(xiàn)WPC兼容發(fā)射機所需的所有模擬組件。
一、電流感放大器
為了支持外部對象檢測(FOD), HD1010全橋功率級無線充發(fā)射端芯片感知設備的平均輸入電流的集成電流感知放大器的電壓增益為50!
對于當前信號的適當縮放,建議使用電流檢測電阻是10 mΩ/ 20 mΩ。電流感知放大器的輸出具有典型的0.5V偏移量當感知電流為零時。為準確的測量輸入電流時,單片機需要校準這個偏移量!
二、pwm控制
PWM1輸入控制內(nèi)部MOSFET Q1和Q2,PWM2輸入控制內(nèi)部MOSFET Q3和Q4。PWM1和PWM2能否獨立控制SW1和SW2占空比和頻率。請注意,死時間已經(jīng)到了在Q1(或Q3)至Q2(或Q4)期間實施在內(nèi)部,所以沒有必要在這段時間之間浪費時間外部控制信號PWM1和PWM2。
三、下鎖(UVLO)
UVLO功能保護芯片不受at操作電力供應不足。該芯片使所有功能失效如果輸入電壓低于3.4V(典型值),則不會重新啟動,直到輸入電壓高于3.6V(典型的)。
四、電壓調(diào)整器
HD1010無線充發(fā)射芯片具有集成的低漏出(LDO)電壓監(jiān)管機構。內(nèi)部動力驅動和控制電路由這個電壓供電。VDD引腳提供a調(diào)節(jié)5.0V電壓電源。將這個引腳與電源解耦地面2.2μf低ESR陶瓷電容器靠近IC。
一旦PVIN位于UVLO閾值。它不受EN信號的控制。的VDD調(diào)節(jié)器的負載能力約為20mA,因此可以用于直接給單片機供電。
五、電壓解調(diào)
以提高通信的可靠性加載條件下,HD1010無線充發(fā)射端芯片已經(jīng)集成了兩個解調(diào)方案,一種基于輸入平均的解調(diào)方案電流信息和其他基于線圈電壓信息。電壓型包絡檢波器為使用所述的離散解決方案實現(xiàn)圖1。這個簡單的實現(xiàn)實現(xiàn)了包絡檢波器功能低通濾波器以及直流過濾功能。

六、當前的解調(diào)
電流型檢測器接受調(diào)制信息來自平均輸入電流。電容器在CSO和IDM引腳之間可以過濾直流電流。的單片機可以在VDMO和VDMO上檢測解調(diào)結果然后實現(xiàn)IDMO引腳的數(shù)據(jù)包解碼。的單片機可以選擇電壓模式或電流模式信號取決于哪個產(chǎn)生最好的解調(diào)信號。

七、過流保護((OCP)
HD1010無線充發(fā)射端芯片集成了一個小嗝嗝模式過電流保護。電流的SW1高側場效應晶體管和SW2檢測高側場效應晶體管,并與電流極限進行比較每個開關周期的閾值。當檢測到的電流達到限流閾值過電流故障計數(shù)器遞增。如果過流故障計數(shù)器達到8并溢出,全部4個內(nèi)部無論PWM輸入是什么,fet都是關閉的。的集成電路持續(xù)打嗝模式10毫秒然后嘗試重啟。打嗝模式OCP保護可以大大降低平均電流到減輕熱問題,保護轉爐。一旦OCP條件被移除,HD1010將退出hiccup模式并恢復正常運行。
八、超溫保護(OTP)
超溫保護(OTP)防止芯片在極高的溫度下工作。當硅模溫度超過165℃時,HD1010無線充發(fā)射芯片關閉。當溫度低于閾值(通常為150℃)時,HD1010 無線充發(fā)射端芯片芯片將再次啟用。
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