在過去同步整流都是同步整流控制器+外置同步TO-220封裝的N溝道MOS管來實現(xiàn)開關(guān)電源的同步整流，現(xiàn)采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的，如驪微電子代理的PN8308H內(nèi)置mos開關(guān)電源同步整流芯片。
 

　　

　　PN8308H內(nèi)置mos同步整流芯片適用于輸出電壓9-15V的電源，內(nèi)置80V智能功率MOSFET，具有如下特點：　　

　　易搭配原邊主控芯片： ns級速度關(guān)斷SR， 支持150kHz工作頻率，支持CCM/DCM/QR工作模式；　　

　　EMC性能卓越：獨特電流跟蹤技術(shù)顯著降低dV/dt，EMC特性優(yōu)于肖特基；　　

　　可實現(xiàn)零外圍工作：Low side架構(gòu)，單邊SW貼片封裝，方便PCB Layout；　　

　　全面的智能保護(hù)功能：UVLO、防誤開啟、防誤關(guān)斷功能。
 

　　

　　PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET，以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率，使得系統(tǒng)效率可以滿足6級能效的標(biāo)準(zhǔn)，常用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管。

　　

　　PN8308H內(nèi)置mos同步整流芯片電流跟蹤關(guān)斷技術(shù)內(nèi)置高開關(guān)速度智能MOSFET，進(jìn)一步加快關(guān)斷速度，通過內(nèi)置Tonmin、Toffmin，增加SR開通限制條件等措施徹底避免SR誤開通造成的直通問題，內(nèi)部集成了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護(hù)、最小導(dǎo)通時間等功能，兼容全模式CCM，DCM和QR。
 

　　

　　PN8308H應(yīng)用于9V/12V輸出適配器上大大減少了開關(guān)電源輸出端的整流損耗，從而提高轉(zhuǎn)換效率，可以提高整個AC-DC的整體效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓，降低電源本身發(fā)熱，在中大功率等級的應(yīng)用中能有特別明顯的區(qū)別。

　　

　　隨著DoE 六級能效及CoC V5 Tier 2的實施，同步整流取代肖特基已成為大勢所趨，PN8308內(nèi)置mos開關(guān)電源同步整流芯片因外圍精簡、EMC性能卓越、支持任意工作模式、貼片封裝并無需散熱片，實現(xiàn)電源小型化，并降低系統(tǒng)成本，被廣泛應(yīng)用于12V2A-12V3A六級能效適配器。