PN8044內(nèi)置650V高壓?jiǎn)��?dòng)模塊，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動(dòng)、超低待機(jī)功能。該芯片提供了完整的智能化保護(hù)功能，包括過載保護(hù)，欠壓保護(hù)，過溫保護(hù)。另外PN8044的降頻調(diào)制技術(shù)有助于改善EMI特性，下面跟隨驪微電子小編芯朋微一級(jí)代理詳細(xì)了解PN8044高性能ac-dc電源芯片小家電方案功能描述。

　　

 

　　1.高壓?jiǎn)��?dòng)：在啟動(dòng)階段，PN8044高性能ac-dc電源芯片內(nèi)部高壓?jiǎn)��?dòng)管提供3mA電流對(duì)外部VDD電容進(jìn)行充電；當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDON，芯片開始工作，高壓?jiǎn)��?dòng)管停止對(duì)VDD電容充電。啟動(dòng)過程結(jié)束后，輸出通過隔離二極管對(duì)VDD電容提供能量，供芯片繼續(xù)工作。

　　

　　2. 恒壓工作模式：芯片通過VDD管腳對(duì)輸出進(jìn)行電壓采樣，VDD電壓經(jīng)過內(nèi)部分壓電阻分壓得到采樣電壓VRF。當(dāng)VRF低于內(nèi)部基準(zhǔn)電壓VREF，芯片開啟集成的高壓功率管，對(duì)儲(chǔ)能電感充電，當(dāng)電感電流達(dá)到內(nèi)部基準(zhǔn)電流IPEAK，芯片關(guān)閉集成的高壓功率管，由系統(tǒng)二極管對(duì)儲(chǔ)能電感續(xù)流。

　　

　　3.PFM 調(diào)制：芯片工作在PFM模式，同時(shí)內(nèi)部設(shè)置IPEAK隨芯片工作頻率FSW降低而降低，芯片開關(guān)周期每增大1us，Ipeak降低約6mA。由于芯片內(nèi)置采樣，最大Ipeak固定，當(dāng)輸出電壓和輸出電流固定時(shí)，電感感量是唯一調(diào)制工作頻率的參數(shù)。建議電感量為0.8~1.6mH, 如果感量過小，系統(tǒng)帶載能力會(huì)偏小，如果感量過大，容易造成電感飽和，影響可靠性。

　　

　　4. 軟啟動(dòng)：為了避免非隔離系統(tǒng)啟動(dòng)階段因進(jìn)入深度CCM模式，帶來較大電流尖峰，PN8044設(shè)置軟啟動(dòng)功能，通過限制Toffmin降低啟動(dòng)階段的開關(guān)頻率。同時(shí)芯片設(shè)計(jì)較小的LEB時(shí)間（300ns）,以降低LEB時(shí)間內(nèi)能量大小，避免系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)的高電流尖峰。

　　

　　5. 智能保護(hù)功能：PN8044高性能ac-dc電源芯片集成全面的保護(hù)功能，包括：過溫保護(hù)、VDD欠壓保護(hù)功能，并且這些保護(hù)具有自恢復(fù)模式。過溫保護(hù)------當(dāng)芯片結(jié)溫超過150℃，芯片進(jìn)入過溫保護(hù)狀態(tài)，輸出關(guān)閉，當(dāng)芯片結(jié)溫低于120度，芯片重新啟動(dòng)。VDD 欠壓保護(hù) ------ 當(dāng)芯片 VDD 電壓低于VDDoff，芯片重新啟動(dòng)。芯片異常自恢復(fù)的時(shí)間通過VDD電容調(diào)整，VDD電容越大，自恢復(fù)時(shí)間越長(zhǎng)。
 

　　

　　PN8044高性能ac-dc電源芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，以較低的BOM成本（外圍元件數(shù)目極少）方便的實(shí)現(xiàn)寬電壓高壓降壓小功率電源解決方案，驪微電子廣泛用于外圍元器件極精簡(jiǎn)的小功率非隔離開關(guān)電源。