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深圳市驪微電子科技有限公司
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PN8308H概述：
PN8308H大功率同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管�！ �
PN8308H內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率，使得系統(tǒng)效率可以滿足6級能效的標(biāo)準(zhǔn)，并留有足夠的裕量。PN8308H同步整芯片集成了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護(hù)、最小導(dǎo)通時(shí)間等功能。
PN8308H產(chǎn)品特征：
■ 內(nèi)置10mΩ 80V Trench MOSFET
■ 適用于CCM，DCM和QR工作模式
■ 電流跟蹤關(guān)斷技術(shù)
PN8308H封裝/訂購信息：
PN8308H典型功率：
y
PN8308H典型應(yīng)用電路：
PN8308H大功率同步整流芯片功能描述：
1.啟動：在系統(tǒng)啟動階段，輸出電壓比較低時(shí)，芯片內(nèi)置MOS體二極管作為次級的續(xù)流二極管。當(dāng)VCC電壓達(dá)到VCCon時(shí)，芯片開始工作;當(dāng)VCC電壓低到VCCoff時(shí)，芯片停止工作，芯片內(nèi)置MOS體二極管作為次級的續(xù)流二極管繼續(xù)工作�！ �
2. 同步工作模式：芯片控制功率MOSFET開關(guān)以實(shí)現(xiàn)同步整流功能。具體工作機(jī)制如下：當(dāng)芯片檢測到Vds小于開啟閾值時(shí)，控制器驅(qū)動功率MOSFET開啟，此時(shí)Vgs達(dá)到最大值。隨著Isd電流的減小，芯片檢測到Isd達(dá)到調(diào)整閾值區(qū)，芯片會根據(jù)Isd的減小幅度來降低Vgs。當(dāng)原邊開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，Ids突變達(dá)到關(guān)斷閾值，控制器將快速關(guān)斷功率MOSFET�！ �
3. 最小導(dǎo)通時(shí)間：在芯片控制MOSFET 開啟初期，MOSFET 的漏端有較大的干擾信號，為了避免干擾信號導(dǎo)致芯片誤觸發(fā)關(guān)斷信號，芯片加入了屏蔽時(shí)間。在屏蔽時(shí)間內(nèi)，同步整芯片關(guān)斷值會提高。在屏蔽時(shí)間結(jié)束后，芯片關(guān)斷值會恢復(fù)正常值。
PN8308H 12v大功率同步整流芯片極限工作范圍：
VCC 腳耐壓……………..……….………………-0.3~26V
SW 腳耐壓……………………….…….…..…. -0.3~80V
結(jié)工作溫度范圍……….…..….…..…...….….-40~150℃
存儲溫度范圍………………………....…. ….-55~150℃
管腳焊接溫度 （10秒）……………..……………...260℃
封裝熱阻RθJC （SOP-8）………………………….45℃/W
人體模式ESD 能力(1)（HBM）……..…...….……... ±3kV
