SDH8594AS內(nèi)置高壓MOS管的原邊控制芯片
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隨著小型充電器向著更低的低待機功耗和更高的能量轉(zhuǎn)換效率發(fā)展,士蘭微電子推出SDH8594AS內(nèi)置高壓MOS管的原邊控制芯片,SDH8594AS原邊反饋電源芯片采用PFM調(diào)制技術(shù),實現(xiàn)精確的恒壓/恒流(CV/CC)控制,效率和待機功耗滿足DOE Level 6能效標(biāo)準(zhǔn)。

SDH8594AS內(nèi)置了高壓MOS管,使用了自有的專利技術(shù)來實現(xiàn)高壓啟動功能,降低待機功耗以及提高轉(zhuǎn)換效率,具有外部可調(diào)的線損補償和內(nèi)置的峰值電流補償?shù)裙δ埽梢源_保精準(zhǔn)的恒壓/恒流(CV/CC)性能,在確保待機功耗滿足DOE Level 6能效標(biāo)準(zhǔn)的前提下,具有極佳的動態(tài)響應(yīng)性能。
此外,電路內(nèi)部集成了VCC欠壓/過壓保護、輸出短路保護、輸出過壓保護、過溫保護、外部元器件開/短路保護等多重保護功能,以保證電路在整機生產(chǎn)和應(yīng)用時的安全性和可靠性,延長其使用壽命。
SDH8594AS采用PSR反饋控制技術(shù),無需外部光耦和431器件,并且環(huán)路補償電容內(nèi)置,極大的簡化了外圍,僅需極少的外圍元器件即可構(gòu)成完整的電源系統(tǒng),大幅節(jié)省了系統(tǒng)耗電并縮小了電路板體積,有利于用戶精簡設(shè)計布局,降低開發(fā)和制造成本。同時,電路采用SOP7貼片封裝形式,可以滿足最高5V/2.4A的輸出功率的小型化應(yīng)用。

驪微電子士蘭微一級代理商,產(chǎn)品覆蓋MOSFET、AC-DC、DC-DC等系列,SDH8594AS隔離反激PSR 10W 5V/2A 600V/2.8Ω 60mW SOP7是基于士蘭微電子自行研發(fā)的0.8微米BiCMOS工藝制程設(shè)計及制作,工作電壓規(guī)模寬,管腳ESD才能強,具有高靠得住性,廣泛適用于手機充電器、小功率適配器及其他便攜式設(shè)備充電器。
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