中國初步完成了整個IC產(chǎn)業(yè)鏈的構(gòu)建
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“解決中國芯,支撐中國未來30年的發(fā)展。”在25日于江蘇鎮(zhèn)江舉行的“集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新(鎮(zhèn)江)高端對話會”上,中科院微電子所所長、02專項專家組組長葉甜春表示,在國家重大專項等的持續(xù)推動下,中國初步完成了集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的構(gòu)建,一批企業(yè)開始脫穎而出。接下來,國家的持續(xù)投入對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要,技術(shù)上則要走向重視原始創(chuàng)新和集成創(chuàng)新的新路徑。中芯國際技術(shù)研究發(fā)展顧問吳漢明等則詳細闡述了產(chǎn)業(yè)面臨的機遇和挑戰(zhàn),揭示中國在成熟制程領(lǐng)域的后發(fā)優(yōu)勢和先進制程領(lǐng)域彎道超車的機會。
產(chǎn)業(yè)需要持續(xù)投入
在葉甜春看來,必須解決“中國芯”問題,才能支撐中國未來30年的發(fā)展。集成電路技術(shù)是國家實力的戰(zhàn)略制高點,這個融合了40多種科學(xué)技術(shù)及工程領(lǐng)域多種交叉學(xué)科和尖端制造技術(shù)的領(lǐng)域,對制造裝備、精密機械、精密儀器、自動化、精細化工和新材料業(yè)有直接的帶動。
值得關(guān)注的是,據(jù)葉甜春介紹,武漢新芯與中科院微電子所聯(lián)合完成了39層3D-NAND工藝流程搭建和原型結(jié)構(gòu)開發(fā),各項結(jié)構(gòu)參數(shù)達到要求,開始產(chǎn)品試制。近期紫光集團收購武漢新芯多數(shù)股權(quán)后,成立長江存儲科技有限責(zé)任公司,由趙偉國出任董事長。紫光旗下紫光國芯(37.630, -0.46, -1.21%)為其存儲器整合平臺,作為國內(nèi)存儲器設(shè)計第一梯隊公司,紫光國芯除定增募資800億元籌建存儲廠外,近期還斥資1億元成立全資子公司紫光國芯微電子,進一步拓展IC設(shè)計業(yè)務(wù)領(lǐng)域。對此,美光半導(dǎo)體公司相關(guān)人士表示,武漢新芯在3D-NAND領(lǐng)域取得的進展令人震驚和欣喜,這顯示其跟國內(nèi)其他廠相比,已經(jīng)成為具有國際化人才和技術(shù)的公司。資料顯示,目前,在3D-NAND領(lǐng)域,三星量產(chǎn)了48層產(chǎn)品,64層和90層正在研發(fā)中。
在國家的大力支持和國家重大專項等引領(lǐng)下,中國集成電路產(chǎn)業(yè)整個產(chǎn)業(yè)鏈布局已基本完善,一批企業(yè)脫穎而出。葉甜春介紹說,封裝技術(shù)從低端走向高端,技術(shù)達到國際先進水平;關(guān)鍵裝備和材料實現(xiàn)從無到有,部分產(chǎn)品進入14nm研發(fā),制造工藝更是取得長足發(fā)展,28nm進入量產(chǎn),14nm研發(fā)獲得突破;系統(tǒng)級芯片設(shè)計能力與國際先進水平的差距大幅縮小。其中,中微半導(dǎo)體、北方微電子(已被七星電子并購)、七星華創(chuàng)、睿勵科學(xué)儀器、上海盛美、沈陽拓荊等一批公司嶄露頭角。
葉甜春進一步強調(diào),國家和企業(yè)的持續(xù)投入對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。歷史上,由于沒有連續(xù)性投入導(dǎo)致我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展間歇性停滯,其結(jié)果是與國際先進的差距愈來愈大。為此,國家應(yīng)在重大專項和重點科技計劃上進一步加大力度,投資特別是技術(shù)研發(fā)資金的投入必須有持續(xù)性,才能跟得上國際步伐。
技術(shù)進入原始創(chuàng)新
葉甜春認為,中國集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進入一個由追趕到原創(chuàng)的新階段,新形勢下,中國集成電路產(chǎn)業(yè)應(yīng)更注重創(chuàng)新,特別是原始創(chuàng)新和集成創(chuàng)新。
以往,中國的集成電路走的是“引進消化吸收再創(chuàng)新”的路子,產(chǎn)業(yè)和企業(yè)的發(fā)展都處于“追趕模式”。但隨著制程的演進和中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,一方面自身加快研發(fā),一方面實施并購整合,中國集成電路產(chǎn)業(yè)和技術(shù)都達到了一個新的高度。緊跟領(lǐng)先者的情況下,不再有那么多的他人經(jīng)驗可借鑒,與國外一樣,中國集成電路產(chǎn)業(yè)開始進入“摸著石頭過河”的探索階段。
葉甜春表示,中國集成電路要保持后勁,就必須對創(chuàng)新更加重視,加強基礎(chǔ)研究、培育原始創(chuàng)新和集成創(chuàng)新刻不容緩。創(chuàng)新的重點:一是面向產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和社會服務(wù)智能化,開展全局性、系統(tǒng)性、集成性創(chuàng)新,推動產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新;二是從跟隨戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向創(chuàng)新跨越,在全球產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新鏈中形成自己的特色,這就要立足中國市場實現(xiàn)世界創(chuàng)新,在若干核心技術(shù)領(lǐng)域形成具有特色的創(chuàng)新技術(shù)和創(chuàng)新產(chǎn)品,通過產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,從技術(shù)創(chuàng)新轉(zhuǎn)入商業(yè)模式創(chuàng)新。
后發(fā)優(yōu)勢與機遇
值得關(guān)注的是,在本次高端對話會上,基于后摩爾時代來臨,吳漢明等詳細闡述了產(chǎn)業(yè)面臨的機遇和挑戰(zhàn),揭示了中國在成熟制程領(lǐng)域的后發(fā)優(yōu)勢和先進制程領(lǐng)域彎道超車的機會。
在摩爾制程內(nèi),面對國際半導(dǎo)體巨頭半個世紀(jì)的積累和持續(xù)高額的科研投入,中國的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和科研投入都決定了很難與其爭鋒,只能縮小與世界先進的差距。不過,在摩爾制程突破越來越難、半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)出現(xiàn)巨大轉(zhuǎn)機的情況下,中國有望在“后摩爾時代”出奇制勝,在成熟制程領(lǐng)域凸顯后發(fā)優(yōu)勢,在先進制程領(lǐng)域彎道超車。
在后摩爾時代,中國集成電路產(chǎn)業(yè)具有彎道超車的機會。吳漢明認為,在后摩爾時代,碎片化的市場將帶來混亂和大量的摧毀性創(chuàng)意,大量基礎(chǔ)創(chuàng)新涌現(xiàn),基礎(chǔ)研究的機遇空前;市場則呈現(xiàn)出多樣化的發(fā)展,如物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、射頻(RF)、MEMS和傳感器等,集成電路設(shè)計公司大有可為;產(chǎn)業(yè)鏈整體創(chuàng)新機遇凸顯,尤其是在設(shè)計環(huán)節(jié),包括設(shè)計IP的公共平臺建設(shè)。
在泛林半導(dǎo)體中國區(qū)總經(jīng)理劉二壯看來,物聯(lián)網(wǎng)將給集成電路產(chǎn)業(yè)帶來新的發(fā)展動力,極大延長成熟制程技術(shù)和工廠的壽命。物聯(lián)網(wǎng)對低成本、低功耗、高效率的要求,給集成電路材料、封裝和制造提出新的要求和發(fā)展動力,帶動了寬禁帶半導(dǎo)體材料、SIP封裝等技術(shù)發(fā)展,使得中國集成電路產(chǎn)業(yè)有機會與國際巨頭在同一起跑線上競爭。此外,鑒于物聯(lián)網(wǎng)中半導(dǎo)體器件將有80%是采用28nm以下成熟工藝,這將大大延長那些8英寸廠甚至6英寸廠的生命,給了中國IC成熟制程領(lǐng)域更多的發(fā)展機遇,使得中國在成熟制程領(lǐng)域凸顯出后發(fā)優(yōu)勢。
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