GaN中文名氮化鎵，是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫等多種優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料，而將GaN氮化鎵功率器件導(dǎo)入到充電器中，將會(huì)給體積帶來顯著變化，幫助到快充實(shí)現(xiàn)輕薄化、小型化，常見于USB PD快充等中高階產(chǎn)品中，可以在超小的體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出，改變行業(yè)設(shè)計(jì)制造方案、改變消費(fèi)者使用習(xí)慣。

　　

　　據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示統(tǒng)計(jì)，2019年，搭載USB Type-C接口的設(shè)備出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到20億臺(tái)。其中USB Type-C在筆記本、臺(tái)式電腦中的滲透率將達(dá)到80%，在智能手機(jī)和平板電腦等產(chǎn)品中的滲透率也將達(dá)到50%。未來，所有使用USB的設(shè)備皆有可能統(tǒng)一為Type-C，這一次，氮化鎵遇上了USB PD普及，風(fēng)口即將來臨。
 

　　

　　不過目前氮化鎵充電器正從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)，面臨著商用化的挑戰(zhàn)，價(jià)格極貴，后期將隨著市場(chǎng)需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，會(huì)逐漸走向平民化，而最終也將會(huì)取代傳統(tǒng)的硅基功率器件，在氮化鎵充電器尚未普及之前，讓我們先了解下基于N8161+PN8307H的18W PD快充電源應(yīng)用方案。

　　

　　PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。

　　

　　PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管。
 

　　

　　18W PD快充方案亮點(diǎn)：　　

　　節(jié)省10顆以上外圍：無啟動(dòng)電阻、無CS偵測(cè)網(wǎng)絡(luò)，原副邊均實(shí)現(xiàn)SOP8功率集成；　　

　　滿足CoC V5 Tier 2：專利高壓?jiǎn)��?dòng)，實(shí)現(xiàn)30mW待機(jī)功耗；工作曲線隨輸出電壓自適應(yīng)，不同輸出電壓下平均效率裕量均大于4個(gè)點(diǎn)；　　

　　EMC性能卓越：抖頻幅度隨負(fù)載自適應(yīng)，改善傳導(dǎo)；DCM/QR工作模式，避免次級(jí)整流管反向恢復(fù)問題，改善輻射；　　

　　3.3~12V寬輸出電壓范圍：PN8161/PN8307H供電范圍寬，無需額外LDO穩(wěn)壓；　　

　　協(xié)議芯片任意搭：SSR架構(gòu)，方案易滿足PD3.0/QuickCharge 4+。

　　

　　在參數(shù)方面，18W PD快充充電器方案支持90~265Vac范圍的交流電壓輸入，擁有市電Brown in/out、輸出過壓保護(hù)、精準(zhǔn)過溫保護(hù)、逐周期過流保護(hù)、次級(jí)整流管短路保護(hù)等，USB-C口支持最大18W輸出，輸出規(guī)格支持12V1.5A；9V2A；5V3A，滿足CoC V5-2，4個(gè)點(diǎn)裕量，可為手機(jī)、筆記本、游戲機(jī)等設(shè)備匹配最佳充電電壓，如果需要產(chǎn)品的詳細(xì)手冊(cè)或其他資料，可向驪微電子申請(qǐng)。>>