RDN8804 20V/25A RDS(ON) 3.8mR雙N溝道增強型功率MOSFET采用最新的溝道處理技術(shù)，以實現(xiàn)高單元密度和低柵電荷降低導(dǎo)通電阻。這些特點結(jié)合起來，使這種設(shè)計成為一個非常有效和可靠的設(shè)備，用于大電流負(fù)載應(yīng)用。

　　

　　RDN8804 特點　　

　　●20V/25A, RDS(ON) =3.8mΩ@VGS=4.5V(典型)　　

　　●高密度電池設(shè)計，超低Rdson　　

　　●全特性雪崩電壓和電流

　　

　　管腳描述

　　

　　應(yīng)用領(lǐng)域　　

　　● 大電流應(yīng)用中的負(fù)載開關(guān)　　

　　● 逆變器系統(tǒng)的電源管理　　

　　● 電池保護

　　

　　RDN8804 20V/25A RDS(ON) 3.8mR雙N溝道增強型功率MOSFET可以直接替代東沅FKCA2030/尼克森PE5A0DZ，更多RDN8804 mos產(chǎn)品手冊或者詳細(xì)資料請向驪微電子申請。>>