CR5249是一款低待機(jī)高性能電流模式 PWM 開關(guān)，待機(jī)功耗小于 75mW 并且效率滿足能效六要求，同時(shí)內(nèi)置多種保護(hù)功能和優(yōu)異的性能使得 CR5249 在中小規(guī)模電源變換器中極具競(jìng)爭(zhēng)力，在實(shí)際應(yīng)用中CR5249超低功耗電源芯片可兼容代換OB2359。

　　

　　一、啟動(dòng)和工作電流　　

　　CR5249 典型的啟動(dòng)電流只有 5μA，因此大阻值的啟動(dòng)電阻的使用可以降低功率損失。在全電壓輸入范圍內(nèi)，在使用 CR5249 的普通 AC/DC 適配器中，可以使用阻值為 2M 的啟動(dòng)電阻，既可以滿足快速啟動(dòng)的要求，又降低了啟動(dòng)損耗。CR5249 的正常工作電流僅僅只有 1.3mA。低的工作電流可以提高整個(gè)系統(tǒng)的效率，同時(shí) VDD 端可以采用較小的供電電容。

　　

　　二、工作頻率和頻率抖動(dòng)　　

　　CR5249 內(nèi)部設(shè)置典型值為 65kHz 的振蕩器。同時(shí)為了提高 EMI 特性，CR5249 還內(nèi)置了頻率抖動(dòng)使其實(shí)際工作頻率在設(shè)定值的±4%范圍內(nèi)抖動(dòng)。

　　

　　三、逐周期電流檢測(cè)和前沿消隱　　

　　CR5249 集成逐周期電流檢測(cè) PWM 控制器，通過 SENSE 電阻檢測(cè)功率管電流。每次功率管開啟的時(shí)候，檢測(cè)電阻上會(huì)產(chǎn)生一個(gè)大的尖峰電壓。這個(gè)尖峰是由初級(jí)電容和次級(jí)整流反向恢復(fù)產(chǎn)生的。為了避免由這個(gè)尖峰電壓引起的錯(cuò)誤的峰值電流檢測(cè)導(dǎo)致功率管提前關(guān)斷，CR5249超低功耗電源芯片內(nèi)部設(shè)置了前沿消隱電路。在前沿消隱的時(shí)間段里（典型值為 270ns），PWM比較器不工作，從而不能關(guān)斷 GATE 驅(qū)動(dòng)端。前沿消隱可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的外接 RC 濾波電路，節(jié)省外圍元件。由 SENSE 電阻上的輸入電壓和 FB 輸入電壓來決定 PWM 的占空比。

　　

　　四、內(nèi)置斜坡補(bǔ)償　　

　　在普通的應(yīng)用中，對(duì)于電流模式的控制器，當(dāng)開關(guān)的占空比超過 50%時(shí)，控制環(huán)路穩(wěn)定性變得至關(guān)重要。在 CR5249 中，內(nèi)置了斜坡補(bǔ)償電路來避免環(huán)路不穩(wěn)定的發(fā)生。斜坡補(bǔ)償通過在檢測(cè)電壓上疊加一個(gè)斜坡電壓來控制 PWM 的產(chǎn)生。這極大的改善了在 CCM 模式下的閉環(huán)的穩(wěn)定性，同時(shí)防止了次諧波震蕩，減小了輸出紋波電壓。

　　

　　五、恒功率限制　　

　　在反激應(yīng)用中，由于 GATE 驅(qū)動(dòng)延時(shí)的存在，當(dāng)輸入交流電壓變化時(shí)會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)過功率點(diǎn)的改變。在 CR5249 中，集成了獨(dú)有的恒功率限制模塊，來對(duì)不同的輸入電壓進(jìn)行過功率補(bǔ)償，保證輸出過功率保護(hù)點(diǎn)恒定。

　　

　　六、軟啟動(dòng)　　

　　CR5249 內(nèi)置了典型值 4ms 的軟啟動(dòng)時(shí)間，在啟動(dòng)時(shí)用來緩慢增加逐周期過流保護(hù)的閾值電壓。在啟動(dòng)時(shí)，它能夠有效防止變壓器磁芯飽和，還可以減少次級(jí)二極管的應(yīng)力。每次VDD 的跌破重啟都會(huì)觸發(fā)軟啟動(dòng)功能。

　　

　　七、輸出整流二極管短路保護(hù)　　

　　開關(guān)電源控制器如果長(zhǎng)期工作在輸出整流二極管短路狀態(tài)，系統(tǒng)容易出現(xiàn)異常狀態(tài)，情況嚴(yán)重還可能造成產(chǎn)品炸機(jī)。CR5249 芯片內(nèi)部集成了輸出整流二極管短路保護(hù)功能，當(dāng)芯片檢測(cè)到輸出整流二極管短路狀態(tài)，將關(guān)斷 PWM 輸出，通過 VDD 打嗝模式來保護(hù)芯片，直到解除異常狀態(tài)。

　　

　　八、綠色模式　　

　　開關(guān)電源控制器在輕載或者空載時(shí)的主要功率損耗來自于開關(guān)損耗，開關(guān)損耗正比于PWM 開關(guān)頻率。為了滿足綠色模式的需求，在這種情況下必須減小開關(guān)的次數(shù)。可以通過降低開關(guān)的頻率或者間歇式開啟（跳過一些周期，隔一段時(shí)間導(dǎo)通幾個(gè)周期）來實(shí)現(xiàn)。

　　

　　九、驅(qū)動(dòng)　　

　　CR5249 的輸出級(jí)是一個(gè)圖騰式柵極驅(qū)動(dòng)。交叉導(dǎo)通的方式有效減小了熱損失，提高了效率并且增強(qiáng)了穩(wěn)定性。芯片內(nèi)部為 MOSFET 的柵端設(shè)置了鉗位保護(hù)電壓以防止 VDD 異常時(shí)的驅(qū)動(dòng)問題。同時(shí)，芯片內(nèi)部還設(shè)置了軟驅(qū)動(dòng)來提升 EMI 特性。與此同時(shí)，可以通過調(diào)節(jié) VDD 和 VDDG 之間的電阻來調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)能力，并能夠優(yōu)化 EMI特性。

　　

　　十、保護(hù)功能　　

　　為了確保系統(tǒng)的正常工作，CR5249超低功耗電源芯片內(nèi)置了多重保護(hù)措施。這些保護(hù)措施包括逐周期的電流限制、峰值電流限制、過溫保護(hù)、過載保護(hù)、過壓保護(hù)、SENSE 開路保護(hù)、欠壓鎖定等。芯片的供電電源 VDD 由輔助繞組提供。當(dāng) VDD 低于進(jìn)入欠壓鎖定的閾值電壓時(shí)，開關(guān)將會(huì)被關(guān)斷，隨后系統(tǒng)自動(dòng)進(jìn)入重啟狀態(tài)。