5V充電器是市場使用比較普遍的一種，充電器的性能其穩(wěn)定性主要取決于手機充電器芯片，手機5v充電器原邊芯片pn8370內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET可省略光耦和TL431，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。
 

　　

　　手機5v充電器原邊芯片PN8370優(yōu)點：　　

　　■ 內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET　　

　　■ 內(nèi)置高壓啟動電路，小于30mW空載損耗（230VAC）　　

　　■ 采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率，滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)　　

　　■ 全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度　　

　　■ 原邊反饋可省光耦和TL431　　

　　■ 恒壓、恒流、輸出線補償外部可調(diào)　　

　　■ 無需額外補償電容　　

　　■ 無音頻噪聲　　

　　■ 智能保護功能　　

　　— 過溫保護 (OTP)　　

　　— VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)　　

　　— 逐周期過流保護 (OCP)　　

　　— CS開/短路保護 (CS O/SP）　　

　　— 開環(huán)保護 (OLP)
 

　　

　　PN8370M+PN8306M 手機5v充電器原邊芯片方案亮點　　

　　外圍簡潔（節(jié)省8顆元件）：PN8370M節(jié)省2顆啟動電阻；PN8306M獨特控制技術(shù)可實現(xiàn)零外圍工作，節(jié)省傳統(tǒng)SR方案的供電RC濾波，SW偵測電阻，RT電阻，RC吸收等6顆元件�！　�

　　高可靠性：a.方案三道防線，實現(xiàn)SR與PSR零直通風(fēng)險；　　

　　b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup電流大于400mA，顯著提高系統(tǒng)安規(guī)能力，接觸靜電高達(dá)15kV；　　

　　c.PSR與SR匹配工作，徹底避免小載采樣沖突，異常工況下，SR做好配角，PSR主導(dǎo)所有異常保護�！　�

　　低待機功耗：PN8370M內(nèi)置高壓啟動，可輕松實現(xiàn)50mW待機功耗
 

　　

　　手機5v充電器原邊芯片PN8370 輸入電壓：90~264Vac ，支持5V/2.0A，5V/2.4A，12V/1.0A輸出，擁有輸出短路保護，輸出過流保護，輸出欠壓保護，VDD 過壓保護，F(xiàn)B 分壓電阻開路短路保護，以及電流檢測電阻 Rcs 開短路保護，過溫保護，滿足六級能效，更多手機5v充電器原邊芯片方案BOM 表和變壓器參數(shù)以及安規(guī)和 EMI 測試數(shù)據(jù)等資料可以向驪微電子申請。