EMI之所以是電源設(shè)計過程中非常令人頭疼的問題，是因為其形成與發(fā)生都極具復(fù)雜性。EMI的形成絕某些固定的原因造成，而是有著不同的產(chǎn)生情況。因此應(yīng)對EMI需要豐富的經(jīng)驗和實際操作水平。下面就將為大家總結(jié)一些電源達人有關(guān)EMI的經(jīng)驗。

 

    1、1MHZ以內(nèi)，以差模干擾為主。

 

    2、增大X電容量。

 

    3、小功率電源可采用PI型濾波器處理（建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些）。

 

    4、1MHZ-5MHZ差模共�；旌�，采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾，并分析出是哪種干擾超標并以解決。

 

    5、對于差模干擾超標可調(diào)整X電容量，添加差模電感器，調(diào)差模電感量。

 

    6、對于共模干擾超標可添加共模電感，選用合理的電感量來抑制。

  

    7、也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管，如FR107。一對普通整流二極管1N4007。

 

    8、5M以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法（整改建議）。

 

    9、對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用；可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔閉環(huán)。處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。

 

    10、對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；

 

    11、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；

 

    12、在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布

 

    13、輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；

 

    14、在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；

 

    15、也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET；鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點）；

 

    16、增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。

 

    17、在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；

 

    18、在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。