米勒效應(yīng)是三極管工作中常見的一種作用現(xiàn)象，然而，MOS管中由于門極和漏極間存在米勒電容，則會影響整體的開啟時間。那么問題來了：遇到這種情況，在柵極和源極間并聯(lián)一個小電容有沒有效果？在什么情況下才考慮米勒電容？米勒電容影響的時間怎么計算？就讓高級工程師告訴你，遇到米勒效應(yīng)電容時你應(yīng)該怎么處理。

 

    據(jù)高級工程師介紹，米勒電容不是個實在存在MOSFET中的電容，它是由MOSFET棚漏極間的電容反映到輸入（即棚源間）的等效電容。由米勒定理可知，這個等效電容比棚漏間的實際電容要大許多，隨增益變化，而由該效應(yīng)所形成的等效電容稱為米勒電容。由此可見，在棚源極間并一個電容無助于減小米勒電容，反之更會降低MOSFET的開啟速度，增加開通關(guān)斷時間。

 

    所以，正確的處理方式是在關(guān)斷感性負(fù)載時，如果驅(qū)動電路內(nèi)阻不夠小，可以在MOS的GS間并聯(lián)一個適當(dāng)?shù)碾娙�，而不是并�?lián)一個越小越好的電容。這樣做可以防止關(guān)斷時因米勒電容影響出現(xiàn)的漏極電壓塌陷。

 

    至于遇到了MOS管米勒效應(yīng)電容后如何計算的問題，工程師們可以查詢數(shù)據(jù)手冊中的Cgd，然后根據(jù)具體電路的電壓增益計算。一般情況下，功率MOS管往往給出一定條件下管子開通所需要的電量和充電曲線，可以作為驅(qū)動設(shè)計的參考。

 

   總結(jié)

 

   工程師在進(jìn)行測試的過程中，一旦遇到米勒效應(yīng)電容問題，首先要依據(jù)查詢數(shù)據(jù)手冊進(jìn)行計算，在估算出電容數(shù)值后選取適當(dāng)電容進(jìn)行電路系統(tǒng)修改調(diào)整。除此之外，依據(jù)米勒定理進(jìn)行合理運(yùn)用，也是能夠幫助工程師讀懂波紋并找出問題的關(guān)鍵所在。