• 輸入電壓：90~265Vac全電壓

• 輸出電壓：5V

• 輸出電流：2.4A

• 平均效率：≥79.94%(滿足六級(jí)能效要求)

• 待機(jī)功耗<75mW

• 多重補(bǔ)償（線補(bǔ)償、CC補(bǔ)償、溫度補(bǔ)償、輕載補(bǔ)償）無(wú)需外部元件

• 輸出短路保護(hù)、輸出過(guò)流保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)，F(xiàn)B分壓電阻開(kāi)路、短路保護(hù)，電流偵測(cè)電阻Rcs短路保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)。

• EMI傳導(dǎo)、輻射滿足EN55022 Class B標(biāo)準(zhǔn)要求，裕量均大于6.0dB

• ESD滿足IEC61000-4-2，8kV/15kV等級(jí)要求

• EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等級(jí)要求

• Surge滿足IEC 61000-4-5:2005，1kV等級(jí)要求

• 交流絕緣滿足3.75kV,60s, 漏電流小于5mA要求

PN8370工作在DCM模式，忽略傳輸瞬態(tài)Tr和Tf，導(dǎo)通時(shí)間、去磁時(shí)間和振蕩時(shí)間分別為：

PN8370在T2時(shí)間內(nèi)間接采樣輸出電壓信號(hào)，為減小漏感振蕩對(duì)采樣的影響，最小T2時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng)(5V2.4A應(yīng)用建議大于2.5us)：

備注：電源在小負(fù)載工況下，PN8370的Vcs=0.17V以避免音頻噪音。

PN8305須在T2時(shí)間內(nèi)完成Trench MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷，其最小導(dǎo)通時(shí)間由RT電阻設(shè)定：

因此RT電阻建議取值為: