PN8370M+PN8306M 5V2A六級(jí)能效充電方案，擁有外圍極簡(jiǎn)、高可靠性、超低待機(jī)、高效率等優(yōu)點(diǎn)，備受工程師們青睞�！　�

　　PN8370M集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源�！　�

　　PN8306M集成同步整流控制器及高雪崩能力MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管，提升轉(zhuǎn)換效率，使得系統(tǒng)效率可以滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，并留有足夠裕量。

　　

　　PN8370M+PN8306M方案亮點(diǎn)：　　

　　外圍簡(jiǎn)潔（節(jié)省8顆元件）:PN8370M節(jié)省2顆啟動(dòng)電阻；PN8306M獨(dú)特控制技術(shù)可實(shí)現(xiàn)零外圍工作，節(jié)省傳統(tǒng)SR方案的供電RC濾波，SW偵測(cè)電阻，RT電阻，RC吸收等6顆元件�！　�

　　高可靠性：a.方案三道防線，實(shí)現(xiàn)SR與PSR零直通風(fēng)險(xiǎn)；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup電流大于400mA，顯著提高系統(tǒng)安規(guī)能力，接觸靜電高達(dá)15kV；c.PSR與SR匹配工作，徹底避免小載采樣沖突，異常工況下，SR做好配角，PSR主導(dǎo)所有異常保護(hù)。　　

　　低待機(jī)功耗:PN8370M內(nèi)置高壓?jiǎn)��?dòng)，可輕松實(shí)現(xiàn)50mW待機(jī)功耗。

　　

　　PN8370M+PN8306M應(yīng)用Q&A ：　　

　　Q1: PN8306M是否需要外并二極管提高穩(wěn)定性？　　

　　A1:  PN8306M產(chǎn)品定位是做好PSR的配角，無(wú)需外并二極管　　

　　a. PN8306M的供電欠壓保護(hù)點(diǎn)(2.8V)低于PN8370M的輸出欠壓保護(hù)點(diǎn)(3.1V)，異常工況下，PN8370主導(dǎo)方案所有保護(hù)�！　�

　　b. PN8306M內(nèi)部自適應(yīng)Ton,min，SR關(guān)斷點(diǎn)滯后于PN8370M的原邊采樣點(diǎn)，徹底避免小載不穩(wěn)定問題。

　　

　　Q2: PN8306M如何提高方案的安規(guī)能力？　　

　　A2:得益于以下獨(dú)特設(shè)計(jì)，VCC腳外掛0.1uF去耦電容，系統(tǒng)靜電能力可提高至接觸15kV　　

　　a. PN8306M內(nèi)部集成高雪崩能力MOSFET�！　�

　　b. HBM ESD大于4kV，Latchup電流大于400mA，顯著提高芯片抗異常電壓/電流沖擊能力。

　　

　　Q3: 方案如何避免PSR與SR直通問題？　　

　　A3: PN8370M+PN8306M以三道防線徹底解決直通問題　　

　　第一道：PN8306M基于面積法的防振鈴誤開通算法可有效避免SR被振鈴干擾誤開通�！　�

　　第二道：PN8370M采用專利跳谷底開通算法，PSR開通點(diǎn)與SR振鈴可能誤開通點(diǎn)相位上錯(cuò)開180度，有效避免直通�！　�

　　第三道： PN8370M內(nèi)部的智能MOSFET上含有電流采樣管，即使直通也可快速精準(zhǔn)保護(hù)，避免電源損壞。