日本半導(dǎo)體增量30% 中國為主要因素
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在半導(dǎo)體采購方面,采購設(shè)備的時間提前了。半導(dǎo)體的微細(xì)化、中國半導(dǎo)體制造商興起、立體化這這三方面為半導(dǎo)體行業(yè)的提供了強勁的活力。
在日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的信息中,訂貨金額(3個月移動平均值,速報值)自2014年3月(34.0%)以來時隔29個月增長率首次超過30%。為1348億日元(約合人民幣90億元),同比增長30.8%。
8月,半導(dǎo)體設(shè)備的訂單出貨比(B/B值,訂單金額除以出貨金額)為1.18,連續(xù)9個月高于榮枯線1。產(chǎn)品剛賣出去就有更多新訂單進來,這樣的狀態(tài)一直持續(xù)。
報道稱,產(chǎn)生這種狀況的原因主要有以下幾點:
首先是半導(dǎo)體電路的微細(xì)化。在尖端領(lǐng)域,能夠一次性將細(xì)微電路寫入硅片的EUV光刻(極紫外光刻)技術(shù)還有待發(fā)展,目前通過反復(fù)操作來制成細(xì)微電路,成膜設(shè)備和腐蝕設(shè)備也在增加。半導(dǎo)體電路迎來電路線寬由10多納米到7至10納米的過渡期。
其中一個主要原因還來源于是中國,目前中國政府將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)定位為支柱產(chǎn)業(yè),與此同時也在積極的推動外資廠商投資。例如中國紫光集團將新建一家大型存儲器工廠,預(yù)計從現(xiàn)在到2020年的五年期間,總投資額將達到5萬億日元(約合人民幣3320億元),是過去5年的2倍以上。
再有原因則是半導(dǎo)體電路的立體化。服務(wù)器等使用的存儲設(shè)備現(xiàn)在已經(jīng)開始采用3D垂直堆疊NAND存儲設(shè)備。與傳統(tǒng)的平面存儲設(shè)備相比,這種立體設(shè)備能增加單位大小芯片的存儲量。韓國三星電子、美國微軟、日本東芝均在增加生產(chǎn)設(shè)備。
以上三種原因正在改變市場,某外資廠商的日本法人社長認(rèn)為“在中國的信息收集能力決定著訂貨量的多少”。在半導(dǎo)體微細(xì)化和立體化對設(shè)備的技術(shù)要求有所提高的前提下,有可能拉大設(shè)備制造企業(yè)之間的差距,今后,很大可能技術(shù)將成為半導(dǎo)體設(shè)備制造商們在市場競爭中的決定因素。
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