在半導(dǎo)體采購方面，采購設(shè)備的時間提前了。半導(dǎo)體的微細(xì)化、中國半導(dǎo)體制造商興起、立體化這這三方面為半導(dǎo)體行業(yè)的提供了強勁的活力。

 

    在日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的信息中，訂貨金額（3個月移動平均值，速報值）自2014年3月（34.0%）以來時隔29個月增長率首次超過30%。為1348億日元（約合人民幣90億元），同比增長30.8%。

 

    8月，半導(dǎo)體設(shè)備的訂單出貨比（B/B值，訂單金額除以出貨金額）為1.18，連續(xù)9個月高于榮枯線1。產(chǎn)品剛賣出去就有更多新訂單進來，這樣的狀態(tài)一直持續(xù)。

 

    報道稱，產(chǎn)生這種狀況的原因主要有以下幾點：

 

    首先是半導(dǎo)體電路的微細(xì)化。在尖端領(lǐng)域，能夠一次性將細(xì)微電路寫入硅片的EUV光刻（極紫外光刻）技術(shù)還有待發(fā)展，目前通過反復(fù)操作來制成細(xì)微電路，成膜設(shè)備和腐蝕設(shè)備也在增加。半導(dǎo)體電路迎來電路線寬由10多納米到7至10納米的過渡期。

 

    其中一個主要原因還來源于是中國，目前中國政府將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)定位為支柱產(chǎn)業(yè)，與此同時也在積極的推動外資廠商投資。例如中國紫光集團將新建一家大型存儲器工廠，預(yù)計從現(xiàn)在到2020年的五年期間，總投資額將達到5萬億日元（約合人民幣3320億元），是過去5年的2倍以上。

 

    再有原因則是半導(dǎo)體電路的立體化。服務(wù)器等使用的存儲設(shè)備現(xiàn)在已經(jīng)開始采用3D垂直堆疊NAND存儲設(shè)備。與傳統(tǒng)的平面存儲設(shè)備相比，這種立體設(shè)備能增加單位大小芯片的存儲量。韓國三星電子、美國微軟、日本東芝均在增加生產(chǎn)設(shè)備。

 

    以上三種原因正在改變市場，某外資廠商的日本法人社長認(rèn)為“在中國的信息收集能力決定著訂貨量的多少”。在半導(dǎo)體微細(xì)化和立體化對設(shè)備的技術(shù)要求有所提高的前提下，有可能拉大設(shè)備制造企業(yè)之間的差距，今后，很大可能技術(shù)將成為半導(dǎo)體設(shè)備制造商們在市場競爭中的決定因素。