如今全球最先進(jìn)的芯片制程是5nm，臺積電和三星都掌握了這項(xiàng)量產(chǎn)工藝，并且在更先進(jìn)的4nm，3nm領(lǐng)域展開布局，近日，IBM公司宣布，他們已經(jīng)創(chuàng)造了世界上第一個2nm芯片制程，并稱是世界首創(chuàng)。
 

　　

　　2nm制程芯片首次采用了底部電阻隔離通道技術(shù)（bottom dieletric isolation channel），使12納米的柵極長度成為可能；其內(nèi)部隔離器則采用第二代干法工藝設(shè)計，有助于納米片的開發(fā)。此外，2nm制程芯片的基板工序（FEOL）采用了極紫外線光刻（EUV）技術(shù)進(jìn)行加工。

　　

　　據(jù)外媒報道，IBM 2nm制程或能在每平方毫米芯片上集成3.33億個晶體管。相比之下，臺積電5nm制程每平方毫米約有1.71億個晶體管，三星5nm制程每平方毫米約有1.27億個晶體管。

　　

　　2nm制程技術(shù)或能實(shí)現(xiàn)在“指甲蓋”大小的芯片上集成約500億晶體管，相比當(dāng)下最先進(jìn)的5nm芯片體積更小，速度更快；性能和功耗方面，相比7nm芯片，2nm芯片的性能可提升45%、功耗有望降低75%；且在續(xù)航方面，使用2nm芯片設(shè)備的電池壽命或是使用7nm芯片設(shè)備的4倍。

　　

　　2nm制程芯片相比現(xiàn)有可量產(chǎn)的7nm、5nm制程芯片，在晶體管密度、性能、功耗等方面能實(shí)現(xiàn)大幅提升，據(jù)相關(guān)報道稱，IBM已與三星、英特爾簽署了聯(lián)合開發(fā)協(xié)議。

　　

　　芯片上更多的晶體管也意味著處理器設(shè)計人員擁有更多的選擇，目前該技術(shù)仍在概念驗(yàn)證階段，可能還需幾年才能投入市場。2nm制程芯片制造技術(shù)，能夠助力手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、PC、自動駕駛等領(lǐng)域應(yīng)用實(shí)現(xiàn)性能飛躍。