在這些應(yīng)用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復(fù)電荷(Qrr)比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET低十倍的優(yōu)勢(shì)，提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿，有助于避免直通擊穿和熱擊穿。

 

　　21A SiHx21N60EF有四種封裝，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器和通信電源、ATX/Silver box計(jì)算機(jī)開關(guān)電源、焊接設(shè)備、UPS、電池充電器和半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中的高功率、高頻開關(guān)應(yīng)用里，可實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。

 

　　這些器件能夠承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，保證通過(guò)100%的UIS測(cè)試。這些MOSFET符合RoHS，無(wú)鹵素。