2017年手機面板、存儲、芯片告急，如何打破“缺芯之痛”?

 

    2017年五大消費性電子產品品牌商持續(xù)為獲利而努力。其中，電視產品不斷往高分辨率、大尺寸、智能化邁進，而液晶監(jiān)視器則朝向大尺寸、利基型及廣視角發(fā)展;筆記本電腦的亮點為持續(xù)拉抬FHD以上分辨率滲透率，而平價平板當道下，平板電腦廠商難從硬件獲利，品牌減少資源投入態(tài)勢確定。

 

    最后，智能手機品牌商在蘋果風潮帶動下，競相往AMOLED產品發(fā)展。TrendForce筆記本電腦分析師王靖怡表示，2017年智能手機、電視出貨將持續(xù)成長，而面板廠態(tài)度及供給狀況更占五大消費性電子產品出貨的關鍵環(huán)節(jié)。

 

    由于全球智能手機與服務器市場需求強勁，DRAM三大廠產能陸續(xù)從標準型內存轉進行動式內存與服務器用內存上，讓今年上半一路走跌的標準型內存價格在第四季單季飆漲逾30%，同時牽動其他DRAM產品呈上漲走勢。

 

    DRAMeXchange研究協理郭祚榮表示，展望2017年，由于三大DRAM廠資本支出相對保守，新制程與新產能的擴張都較往年收斂許多，且策略上將以獲利為主要目標，隨著供給持續(xù)吃緊，2017年對DRAM產業(yè)將是不錯的一年。

 

    3D-NAND Flash進度為Flash產業(yè)重要關鍵

 

    2016下半年正值各家業(yè)者積極轉進3D-NAND之際，但2D-NAND產能的降低及智能手機的高度需求使得NAND Flash產業(yè)呈現供不應求。

 

    DRAMeXchange研究協理楊文得指出，2017年將是NAND Flash產業(yè)充滿挑戰(zhàn)與機會的一年，由于2D-NAND Flash產能依舊快速下滑，而3D-NAND Flash的進度與良率提升充滿挑戰(zhàn)，2017年將延續(xù)NAND Flash供不應求的情況。而市況穩(wěn)定的關鍵，要看各家NAND業(yè)者3D-NAND Flash應用在智能手機與固態(tài)硬盤的進度。

 

    AMOLED手機滲透率可望于2019年突破四成

 

    近年來智能手機面板規(guī)格的迭代成為大勢所趨，而AMOLED面板成為手機設計商寄望能刺激市場需求回溫的重要關鍵。

 

    WITsView資深研究經理范博毓指出，AMOLED手機的滲透率將從2016年的22%，提升至2019年的42%。產能部分，2017年AMOLED產能面積有望增長至890萬平方米，年成長約46%。其中大多依然來自三星顯示器積極擴產，用以對應其自有品牌需求，也將滿足蘋果潛在的面板需求。

 

    范博毓表示，中國手機客戶雖然對AMOLED面板趨之若鶩，但三星顯示器勢將難以完全滿足需求，因此2017年中國手機客戶在AMOLED面板上依然存在供貨吃緊，甚至缺貨的風險。

 

    2016年穿戴設備市場中雖有蘋果推出的新款智能手表，但因該產品沒有新增功能服務，無法提高買氣，全球穿戴設備出貨依舊以Fitbit的成長較為亮眼。

 

    另一方面，今年頗受市場寄予厚望的VR裝置部分，拓墣穿戴設備分析師蔡卓卲表示，雖然一般VR裝置需求強勁，但因AMOLED面板供應短缺，導致HTC、Oculus、索尼的產品都供不應求，預估2016年全球一般VR裝置出貨量僅291萬臺。由于AMOLED面板短缺的狀況將持續(xù)，2017年一般VR裝置出貨預估將僅成長到510萬臺，依舊無法出現爆發(fā)性的成長。

 

    2017年全球半導體產業(yè)在10納米的制造技術量產下，可望推動數字IC的制造產值持續(xù)推升，但需求成長趨緩下，智能手機售價漲幅有限，壓縮芯片商的獲利空間。

 

    除技術與應用外，半導體供給的變化將是另一重點。2017年中國新增的半導體產能將逐步打開，中國能否有效將技術與資源整并，將左右市場與中國半導體政策的成敗。

 

    存儲器芯片價格上揚 中國強“芯”補短板芯片

 

    存儲器芯片是智能手機、平板電腦、可穿戴設備等各種智能終端產品所不可或缺的關鍵器件，主要功能是存儲程序和各種數據，并能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取，主要有動態(tài)隨機存取存儲器DRAM和閃存NANDFlash等類型。

 

    今年1月，IBS執(zhí)行長/資深分析師HandelJones原本預測今年晶片產業(yè)將衰退1.5%;而同時間另一家市場研究機構ICInsights則認為今年晶片市場將成長4%。如今，雙方的意見已逐漸靠攏，ICInsights將2016年晶片市場成長率預測值更新為1%，而2017年成長率則更正為4%。

 

    IBS的分析師Jones表示，DRAM價格在今年下半年應該上漲了20~30%，抵銷了過去約一年來的衰退;而NAND快閃記憶體的價格也有所增加，2016年增加幅度達36.2%，讓整體NAND市場規(guī)模成長6.2%。他預期DRAM價格在2017年只會小幅下降，NAND價格則會維持在0.28~0.35美元的水準。

 

    在其他市場，IBS預測資料中心應用半導體市場將在2016年成長12~14%，2017年的成長水準大致相同;車用半導體市場在2016年則預期將成長13.0%，2017年可成長10.5%。但Jones表示：“半導體市場在2018年持續(xù)面臨不小的風險，因為全球GDP可能會出現衰退;但2017年該市場有很高的可能性可取得4.6%水準的成長率。”

 

    如何打破“缺芯之痛”

 

    作為全球集成電路領域最大貿易逆差國，我國每年進口額超過兩千億美元，而存儲器芯片正是國內集成電路產業(yè)鏈的主要短板，長期以來被海外巨頭掌控。從今年第一季度來看，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而閃存市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

 

    由此可見，發(fā)展存儲器不只是滿足市場需求，也是信息安全和產業(yè)安全的戰(zhàn)略需要。為打破“缺芯之痛”，國內多地開始斥巨資布局存儲器芯片研發(fā)生產領域，如湖北成立了集成電路存儲器產業(yè)投資基金，福建設立500億元投資基金支持泉州晉江存儲器產業(yè)發(fā)展，合肥、深圳等集成電路產業(yè)基地也正在籌劃設立基金。各種資金不斷地流入，為國內企業(yè)進軍存儲器芯片領域提供了堅實的發(fā)展基礎。

 

    除了龐大的資金投入外，中國科學院微電子研究所所長葉甜春還表示，企業(yè)在當前新形勢下發(fā)展存儲器產業(yè)，不應只是簡單的追趕，而應該更加注重技術和市場的創(chuàng)新;應做好長期儲備，在資金上確保持續(xù)投入;更重要的是要在立足自身市場特點的基礎上追求世界領先水平。