2017 年IC人才挖角將更趨白熱化
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TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新研究指出,由于中國本土晶圓廠的擴(kuò)張及先進(jìn)制程的推進(jìn)使人才需求孔急,近兩年中國引進(jìn) IC 產(chǎn)業(yè)人才的力道越來越大,人才挖角已成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中的熱點(diǎn),且因多數(shù)新建廠的投片計劃集中在 2018 年下半年,預(yù)估 2017 年人才挖角將更趨白熱化,是人才爭奪戰(zhàn)的關(guān)鍵年。
拓墣指出,從紫光海外購并屢屢受阻、福建宏芯基金收購德國愛思強(qiáng)也因美國政府態(tài)度而暫緩等事件觀察,顯示在國際普遍關(guān)注下,中國未來想借著并購獲取技術(shù)及市場等資源將愈加困難,然而技術(shù)是 IC 產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心競爭力,如果并購的路不好走,那么人才引進(jìn)的步伐勢必加快。
拓墣表示,中國挖角主力集中在 IC 制造和設(shè)計端,這與目前中國晶圓廠快速擴(kuò)張的步伐相對應(yīng)。初步統(tǒng)計,目前中國正在建造和規(guī)劃的 12 寸晶圓廠達(dá) 11 座,未來新增加 12 寸晶圓產(chǎn)能將逾每月 90 萬 片。其中長江存儲、福建晉華、合肥長鑫及南京紫光都將產(chǎn)品鎖定存儲器(DRAM 和 3D-NAND Flash)領(lǐng)域,因此人才引進(jìn)的重心也將朝存儲器傾斜。
高端技術(shù)人才缺口大,挖角與培訓(xùn)須雙管齊下
除了挖角產(chǎn)業(yè)指標(biāo)性人物,具有豐富經(jīng)驗的工程師級技術(shù)人才也是中國引進(jìn)人才的重點(diǎn),有鑒于多數(shù)新建廠的投片計劃集中在 2018 下半年,2017 年中國 IC 人才挖角將更趨白熱化。拓墣指出,在企業(yè)普遍以高薪聘請外部人才的氛圍下,中國本土 IC 人才的整體待遇有望得到提升,同時可望進(jìn)一步完善 IC 人才的培養(yǎng)體系。
事實(shí)上,目前中國在培養(yǎng) IC 人才上,不論規(guī);蚱焚|(zhì)都還有很大的提升空間,特別是在師資和實(shí)訓(xùn)兩方面。以師資來說,多數(shù)師資缺乏在企業(yè)的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗,與企業(yè)生產(chǎn)脫節(jié),而實(shí)訓(xùn)基地高昂的設(shè)備采購 及維護(hù)費(fèi)用,并非大學(xué)所能承擔(dān),需仰賴政府給予大力資金的支持。拓墣預(yù)估,2020 年中國 IC 產(chǎn)業(yè)高端技術(shù)人才缺口將突破 10 萬人,為中國 IC 人才培養(yǎng)體系帶來挑戰(zhàn),因此擴(kuò)大培養(yǎng)規(guī)模、完善師資配備、加快實(shí)訓(xùn)基地落實(shí)將是培養(yǎng) IC 產(chǎn)業(yè)人才的重點(diǎn)。
人才引進(jìn)仍須顧及設(shè)備和材料發(fā)展,以強(qiáng)化整體產(chǎn)業(yè)鏈
拓墣進(jìn)一步表示,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在人才引進(jìn)的過程中,應(yīng)同時顧及整體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,尤其是中國 IC 產(chǎn)業(yè)鏈中最薄弱的設(shè)備和材料兩個環(huán)節(jié)。舉例而言,中國的新升半導(dǎo)體若能實(shí)現(xiàn) 12 寸硅晶圓國產(chǎn)化目標(biāo),將有助中國半導(dǎo)體面對全球硅晶圓市場價格飆升的壓力。另外,同樣基于“ 瓦圣納”協(xié)定的制裁,中國半導(dǎo)體設(shè)備商必須突破瓶頸,將中國產(chǎn)機(jī)臺大力推廣到本土市場中,甚至走向國際。拓墣認(rèn)為,加強(qiáng)半導(dǎo)體設(shè)備和材料方面高端人才的引進(jìn)和培養(yǎng),是后期中國 IC 人才策略中不可缺少的一環(huán)。
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