今年半導(dǎo)體資本支出同比再增加 三星居榜首
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近日,市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights統(tǒng)計(jì)指出,今年全球半導(dǎo)體資本支出將較去年再增加6%,預(yù)期三星、英特爾今年資本支出均年增逾兩位數(shù),臺(tái)積電則減2%,使得臺(tái)積電今年資本支出預(yù)估100億美元,低于英特爾的120億美元、退居第三位。
IC Insights統(tǒng)計(jì),今年全球半導(dǎo)體資本支出將達(dá)723.05億美元,其中,韓國(guó)三星今年資本支出居冠為125億美元,年增11%;美國(guó)英特爾估為120億美元,今年資本支出較去年大幅增加25%。臺(tái)積電去年資本支出估約102.49億美元新高,今年則是100億美元,居于第三。
IC Insights統(tǒng)計(jì)中看出,前十大廠商有兩家今年資本支出成長(zhǎng)在兩成以上,分別是英特爾的年增25%與格羅方德(GlobalFoundries)的33%。格羅方德去年資本支出大減62%,今年資本支出為20億美元,且預(yù)計(jì)直接挑戰(zhàn)7nm制程。
目前英特爾也在沖刺7nm制程。臺(tái)積電更取得優(yōu)勢(shì)地位;董事長(zhǎng)張忠謀2日表示,今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)會(huì)表現(xiàn)不錯(cuò),預(yù)估將較去年成長(zhǎng)4%-5%,臺(tái)積電會(huì)優(yōu)于產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率,預(yù)估今年臺(tái)積電營(yíng)收會(huì)有5%-10%成長(zhǎng),臺(tái)積電的制程技術(shù)亦超越任何競(jìng)爭(zhēng)者。
另外,DRAM市況持續(xù)看好,三星、海力士預(yù)估將增加資本支出11%與16%。另一家存儲(chǔ)器廠美光,去年資本支出成長(zhǎng)28%;美光去年底收購(gòu)華亞科后,今年資本支出則年減13%為50億美元。
此外,晶圓代工廠中芯去年資本支出大增87%,但今年預(yù)估資本支出年減12%為23億美元。至于聯(lián)電去年資本支出估達(dá)28.42億美元新高,今年預(yù)估降3成至20億美元。
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