近期，長江存儲和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND Flash存儲器研發(fā)項目取得新進(jìn)展，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出關(guān)鍵一步。業(yè)內(nèi)人士表示，國內(nèi)廠商積極開展存儲芯片相關(guān)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作，并取得了階段性進(jìn)展。政策支持之下，隨著技術(shù)等逐漸成熟，行業(yè)發(fā)展將迎來拐點(diǎn)。在此背景下，上市公司紛紛發(fā)力拓展存儲芯片業(yè)務(wù)。

 

    基本依賴進(jìn)口

 

    存儲芯片作為集成電路的三大品類之一，目前廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、消費(fèi)電子、智能終端和固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域，其銷售額占整個芯片產(chǎn)業(yè)的比重超過25%，反映了一個國家或地區(qū)的半導(dǎo)體發(fā)展水平。

 

    賽迪顧問數(shù)據(jù)顯示，2014年中國存儲芯片市場規(guī)模達(dá)到2465.5億元，占國內(nèi)集成電路市場份額的23.7%。但存儲芯片基本依靠進(jìn)口，每年進(jìn)口存儲芯片的金額高達(dá)600億美元。無論是NAND Flash還是DRAM，國產(chǎn)存儲芯片市場比例較小。

 

    賽迪智庫集成電路研究所所長霍雨濤表示，國內(nèi)存儲芯片已經(jīng)取得了一些進(jìn)展，但總體看仍處于起步階段。無論是DRAM還是NAND Flash等領(lǐng)域，核心技術(shù)、專利等仍主要掌握在三星、東芝、SK海力士、美光、SanDisk、Intel等海外廠商手中。

 

    霍雨濤認(rèn)為，國產(chǎn)存儲芯片要想取得更大的進(jìn)展，需要合理規(guī)劃和統(tǒng)籌布局，做好長期持續(xù)大投入的準(zhǔn)備；要聚焦核心技術(shù)和人才，立足自主研發(fā)，完善產(chǎn)業(yè)生態(tài)；要抓住計算和存儲產(chǎn)業(yè)深度融合帶來的機(jī)遇。

 

    上市公司發(fā)力

 

    面對國產(chǎn)存儲芯片的現(xiàn)狀，不少公司開始發(fā)力。

 

    以兆易創(chuàng)新為例，公司擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式收購北京矽成100%股權(quán)。北京矽成100%股權(quán)的交易價格暫定為65億元。公司表示，上市公司與標(biāo)的公司均主要從事集成電路存儲芯片及其衍生產(chǎn)品的研發(fā)、技術(shù)支持和銷售，交易完成后可以形成良好的規(guī)模效應(yīng)。本次交易將為上市公司引進(jìn)存儲芯片研發(fā)設(shè)計領(lǐng)域的優(yōu)秀研發(fā)人員以及國際化管理團(tuán)隊，為上市公司國際化縱深發(fā)展注入動力。

 

    長江存儲和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND Flash存儲器研發(fā)項目取得新進(jìn)展，32層3D NAND Flash芯片順利通過電學(xué)特性等各項指標(biāo)測試，達(dá)到預(yù)期要求，實(shí)現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計的整套技術(shù)驗證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出關(guān)鍵一步。

 

    紫光集團(tuán)宣布投資約2063億元在南京建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，一期建成后，將是中國規(guī)模最大的芯片制造工廠，月產(chǎn)量將達(dá)10萬片。

 

    據(jù)悉，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地已于近日開工建設(shè)，主要產(chǎn)品為3D NAND Flash、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝。項目一期投資約687.67億元。

 

    霍雨濤表示，國產(chǎn)存儲芯片發(fā)展面臨巨大的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。國內(nèi)廠商積極開展存儲芯片相關(guān)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作，并取得了階段性進(jìn)展。隨著資金、政策、人員等各種條件的成熟，行業(yè)發(fā)展拐點(diǎn)已經(jīng)來臨。