中國終于下決心要做存儲器芯片，武漢新芯計劃投資240億美元，于2018年開始量產(chǎn)3D NAND閃存，引起全球的熱議�？陀^地說能夠下這樣的決心是十分不易，國內(nèi)國外抱懷疑者很多，基本上反映中國欲進軍存儲器業(yè)的現(xiàn)實。

 

    中國半導(dǎo)體業(yè)處于特定環(huán)境中，提出產(chǎn)業(yè)的自主可控是迫不得已。西方總是冷眼相對，控制及干擾我們的先進技術(shù)進步，所以中國在CPU方面的開發(fā)至少己有20年的歷史。

 

    如今中國的國力己大增，集成電路產(chǎn)業(yè)具一定規(guī)模，似乎資金方面、與之前大不同，己有所積累，所以此次下決心選擇存儲器芯片作為IDM模式的突破口，主要是產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要，也是眾望所歸。

 

    歸納起來，目前存儲器有三個方面的力量正在聚集，一個是政府主導(dǎo)的武漢新芯，它們與中科院微電子所等合作，據(jù)說己經(jīng)有9層3D NAND樣品。另一個是紫光，它的策略是先通過兼并，站在一定高度之后再自行研發(fā)。最后一個是兩個地方政府，福建與合肥，它們試圖尋找技術(shù)伙伴，或者挖技術(shù)團隊后再前進。其中如福建投資在泉州的晉華集成電路，它由聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)，產(chǎn)品將是32納米制程的利基型DRAM，未來技術(shù)將授權(quán)給晉華，同時聯(lián)電也可以保有研發(fā)成果。

 

    依目前的態(tài)勢由于做的產(chǎn)品不同，有3D NAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路徑不同，以及合作對象也不一樣，正如同“百花齊放”，因此都有一定的可能，但又都不太確定。

 

    然而依照中國的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲器生產(chǎn)線，所以未來可能還要等2-3年時間的觀察，結(jié)果才會更加明朗。

 

    個人不成熟的看法由于武漢新芯是依靠自行研發(fā)為主，盡管這條道可能慢些，暫時技術(shù)方面落后，但是能有屬于自己的東西，它的未來至少國家一定會支持到底，相對有成功的可能與希望。

 

     近期又傳來紫光可能與新芯合作的方案，對于雙方可能都是個理性的選擇。但是要與美光合作變成中國版的“華亞科”模式有些擔(dān)憂。

 

    因為此種跟隨型模式，盡管看似省心省事，但是中方缺乏自主能力，另外擔(dān)心美光會采取不同的技術(shù)轉(zhuǎn)移策略，讓中國處于最低端，因此要慎之又慎。

 

     如果未來由英特爾，三星，海力士，臺積電，聯(lián)電，GF及力晶等獨資以及“穿馬甲”的公司來主導(dǎo)中國的芯片制造業(yè)，對于如中芯國際，華力微等企業(yè)的成長并非有利。因此要全面正確的認清當前形勢，從道理上如中芯國際等企業(yè)應(yīng)該加快研發(fā)步伐，在逆境中迅速崛起。