半導(dǎo)體企業(yè)三星電子庫(kù)存堆積 創(chuàng)歷史新高
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先前外資痛批三星電子不顧同行道義,在記憶體業(yè)趕盡殺絕。如今背后原因似乎揭曉,韓媒指出,今年第一季三星電子和 SK 海力士(SK Hynix)的半導(dǎo)體庫(kù)存雙雙創(chuàng)下新高,滿坑滿谷的記憶體賣(mài)不動(dòng),三星或許因此殺紅了眼。
BusinessKorea 18 日?qǐng)?bào)導(dǎo),今年 Q1 季末,三星電子的半導(dǎo)體庫(kù)存達(dá) 7.4 兆韓圜,寫(xiě)下同季歷史新高。SK 海力士的半導(dǎo)體庫(kù)存為 2.2 兆韓圜,更創(chuàng)下該公司史上之最。一般而言,企業(yè)都趕在新年之前盡量消化庫(kù)存,Q4 應(yīng)是出貨旺季,不料記憶體買(mǎi)氣從 2015 年開(kāi)始急凍,2015 年 Q4 庫(kù)存增加速度之快,幾乎前所未見(jiàn)。
三星半導(dǎo)體庫(kù)存連年提高,近來(lái)更急速成長(zhǎng)。2012 年半導(dǎo)體庫(kù)存約為 4 兆韓圜,2015 年增至 6~7 兆韓圜,今年 Q1 更超越 7 兆韓圜。和 2015 年同期相比,今年 Q1 庫(kù)存飆升了 1.7 兆韓圜。主要原因應(yīng)是記憶體買(mǎi)氣驟減,Q1 三星記憶體部門(mén)營(yíng)收年減 3,700 億韓圜。
與此同時(shí),2015 年 SK 海力士的庫(kù)存大都在 1.5 兆韓圜以下,不料 2015 年年底突然暴增至 1.9 兆韓圜,今年 Q1 又一舉突破 2 兆韓圜。SK 海力士的庫(kù)存資產(chǎn)占總資產(chǎn)比重一路攀升,2014 年來(lái)從 5.6% 升至 6.5%,再增至 7.4%。庫(kù)存爆滿,問(wèn)題是記憶體前景欠佳,需求仍淡,業(yè)者可能會(huì)啟動(dòng)更激烈的殺價(jià)戰(zhàn),出清庫(kù)存。
記憶體業(yè)凄慘,又有新技術(shù)出來(lái)?yè)屖袌?chǎng),前景更為黯淡。Phone Arena、Engadget 17 日?qǐng)?bào)導(dǎo),“相變化記憶體”(Phase-Change Memory,簡(jiǎn)稱 PCM)因成本太高,智慧機(jī)等行動(dòng)裝置無(wú)法采納,過(guò)去 15 年來(lái)一直應(yīng)用在光碟片等科技產(chǎn)品。然而,IBM 現(xiàn)在不但降低了成本,還想出新的方法,可在每個(gè)記憶單位(cell)中儲(chǔ)存 3 位元資訊、即使周遭溫度較高也毫無(wú)障礙,未來(lái)可能會(huì)讓記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)巨變。
IBM Research 17 日在巴黎舉辦的 IEEE 國(guó)際記憶體研討會(huì)(International Memory Workshop)上表示,新開(kāi)發(fā)的技術(shù)可降低 PCM 成本,價(jià)格不但能與快閃記憶體競(jìng)爭(zhēng),還會(huì)比 DRAM 更便宜。
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