PN8680M概述：　　

　　PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片集成超低待機(jī)功耗原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8680M為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。PN8680低功耗電源芯片內(nèi)置高壓?jiǎn)��?dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供了極為全面的智能保護(hù)功能，包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開/短路保護(hù)等。

　　

　　PN8680M產(chǎn)品特征：　　

　　■ 內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET　　

　　■ 內(nèi)置高壓?jiǎn)��?dòng)電路，小于50mW空載損耗（230VAC）　　

　　■ 采用多模式技術(shù)提高效率，滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)　　

　　■ 全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度　　

　　■ 原邊反饋可省光耦和TL431　　

　　■ 恒壓、恒流、輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)　　

　　■ 無需額外補(bǔ)償電容　　

　　■ 無音頻噪聲　　

　　■ 智能保護(hù)功能　　

　　   過溫保護(hù) (OTP)　　

　　   VDD欠壓&過壓保護(hù) (UVLO&OVP)　　

　　  逐周期過流保護(hù) (OCP)　　

　　  CS開/短路保護(hù) (CS O/SP）　　

　      開環(huán)保護(hù) (OLP)

　　

　　PN8680M封裝/訂購(gòu)信息：
 

　

　　注：PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片最大輸出功率是在環(huán)境溫度45℃的密閉式應(yīng)用情形下測(cè)試。

　　

　　PN8680M管腳定義:

管腳名	管腳標(biāo)號(hào)	管腳功能描述
VDD	1	工作電壓輸入引腳
GND	2	地電位
FB	3	反饋引腳，輔助繞組電壓通過電阻反饋穩(wěn)定輸出
CS	4	電流檢測(cè)引腳
SW	5,6,7,8	智能功率MOSFET Drain端引腳，跟變壓器初級(jí)相連

　　

　　PN8680M典型應(yīng)用電路圖：
 

　　

　　PN8680M極限工作范圍：　　

　　VDD 腳耐壓……………….……………………-0.3~40V　　

　　FBCS 腳耐壓………………...……….…………-0.3~5.5V　　

　　SW 腳耐壓……………………….…….…..…. -0.3~650V　　

　　結(jié)工作溫度范圍……….…..….…..…...….….-40~150℃　　

　　存儲(chǔ)溫度范圍………………………....…. ….-55~150℃　　

　　管腳焊接溫度 （10秒）……………..……………...260℃　　

　　封裝熱阻RθJC （SOP-8）…...........……………….80℃/W　　

　　人體模式ESD 能力(1)（HBM）……..…...….……... ±4kV　　

　　漏極脈沖電流（Tpulse=100us）………….…….…..…..…3A

　　

　　如果需要PN8680M 12W原邊反饋低功耗電源芯片參數(shù)和產(chǎn)品詳細(xì)手冊(cè)及規(guī)格書或其他資料，請(qǐng)聯(lián)系我們?cè)诰�客服向我們申請(qǐng)。>>