阿里巴巴店鋪
關(guān)注驪微
收藏驪微
推薦產(chǎn)品
聯(lián)系我們
深圳市驪微電子科技有限公司
電話：0755-23087599
手機(jī)：13808858392
郵箱：dunianhua@leweitech.com
地址：深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)鶴洲恒豐工業(yè)城B11棟5樓東
PN8368產(chǎn)品描述：
PN8368集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8368為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）
PN8368集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8368為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）
小于30mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的RCS電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供了極為全面的智能保護(hù)功能，包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開/短路保護(hù)等。
PN8368產(chǎn)品特點(diǎn)：
內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
PN8368產(chǎn)品特點(diǎn)：
內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
內(nèi)置高壓啟動電路，小于30mW空載損耗（230VAC）
采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率，滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)
全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒壓、恒流、輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)
無需額外補(bǔ)償電容
無音頻噪聲
智能保護(hù)功能
過溫保護(hù) (OTP)
VDD欠壓&過壓保護(hù) (UVLO&OVP)
逐周期過流保護(hù) (OCP)
CS開/短路保護(hù) (CS O/SP）開環(huán)保護(hù) (OLP)
典型應(yīng)用圖
CS開/短路保護(hù) (CS O/SP）開環(huán)保護(hù) (OLP)
典型應(yīng)用圖
