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深圳市驪微電子科技有限公司
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PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。
PN8161M該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的保護功能，包括輸出過壓保護、逐周期過流保護、過載保護、軟啟動、輸入欠壓保護功能�！ �
通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了超低的待機功耗、全電壓范圍下的最佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)。
PN8161M快充芯片封裝/訂購信息
PN8161M快充芯片管腳定義
| 管腳名 | 管腳標(biāo)號 | 管腳功能描述 |
| GND | 1 | 地 |
| VDD | 2 | 工作電壓輸入引腳 |
| FB | 3 | 反饋輸入引腳 |
| DMG | 4 | 去磁引腳，通過電阻分壓采樣輸出電壓和輸入電壓 |
| SW | 5,6,7,8 | 高壓MOSFET漏極腳 |
PN8161M快充芯片特性
■ 內(nèi)置690V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 準(zhǔn)諧振工作
■ 最高開關(guān)頻率125kHz
■ 外圍精簡，無需啟動電阻及CS檢測電阻
■ 高低壓腳位兩側(cè)排列提高安全性
■ 內(nèi)置高壓啟動，空載待機功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù)
■ 供電電壓9-38V，適合寬輸出電壓應(yīng)用
■ 優(yōu)異全面的保護功能
■ 過溫保護
■ 輸出過壓保護
■ 輸入欠壓保護
■ 逐周期過流保護
■ 輸出開/短路保護
■ 次級整流管短路保護
■ 過負(fù)載保護
典型功率
| 封裝 | 輸入電壓 | 密閉式條件 |
| SOP8 | 90-265VAC | 18W |
PN8161M快充芯片典型電路
應(yīng)用領(lǐng)域
■ 充電器
■ 適配器
■ 開放式開關(guān)電源
PN8161的M版本PN8161M，跟PN8161和PN8161-R1H 腳位一樣，但改善了紋波、聲音、 溫度也更低點，更多PN8161M產(chǎn)品手冊，原理圖，電源輸入輸出規(guī)格，BOM 表和變壓器參數(shù)以及安規(guī)和 EMI 測試數(shù)據(jù)等資料可向驪微電子申請。>>
